這項研究使用瞬態平面熱源法(TPS, Transient plane source),量測了矽膠與非矽膠熱介面材料(TIM, Thermal Interface Materials)在受到不同壓力下的導熱係數變化。
熱介面材料通常應用於電子元件之間填補空氣間隙,以提高熱傳遞率並確保廢熱能從關鍵組件中散發出去。TIM的熱導率被材料的類型、組成、填料分布以及元件導熱係數、界面性質以及施加的熱負載條件等條件影響。
因此對於不同元件而言,如何在不同的TIM之間取捨(如散熱片、凝膠或導熱膏)取決於應用的具體需求及限制。
圖 1 熱介面材料正在被放到電子元件上
本研究使用Trident平台的TPS方法量測矽膠與非矽膠TIM在不同壓縮率下的熱導率,步驟如下:
在室溫下將TPS感測器置於兩片散熱片之間,並使用壓縮測試配件(Compression Test Accessory, CTA)施加穩定的壓力,以散熱片的壓縮率作為變量,同時量測熱導率的變化。量測進行三次並取平均值。
1.矽膠 TIM(Silicone TIM)
0%壓縮率:未施加壓縮負載時,導熱係數為 8.59 W/mK。
20%壓縮率:導熱係數增加至 9.34 W/mK(增幅約 8.7%)。
45%壓縮率:導熱係數增加至 9.93 W/mK(較前一階段增加 6.3%)。
2.非矽膠TIM(Non-Silicone TIM)
0% 至 20% 壓縮率:導熱係數增加了16.4%。
45% 變形:隨後增幅達 23.2%。
雖然非矽膠TIM的整體塊體導熱係數較低,但在承受不同壓縮負載時,其導熱係數增加的百分比顯著高於矽膠材料。
圖 2 在不同壓縮率下矽膠(左)與非矽膠(右)TIM的熱導率
在真實的應用場景中,散熱片通常會被螺絲鎖在發熱元件上,而有一定的壓縮率。在本量測中可以看到非矽膠TIM的熱導率不如矽膠TIM,但是隨著壓縮率從0上升到45%,非矽膠TIM的熱導率增長了39.6%,而矽膠TIM僅上升了15%。從增長率的不同可以推測兩者在受壓時內部發生的改變並不相同。
非矽膠TIM在現今電子元件變得越來越精密的趨勢下,也因不含矽油而逐漸受到矚目。而非矽膠TIM的熱導率在受到壓縮而有更多增幅,無疑在各項應用有著巨大的潛力。C-Therm的Trident平台搭配TPS及CTA附件可以快速的量測到不同壓縮率下熱導率的變化。
C-Therm的TRIDENT平台能夠讓用戶在兼顧精準度、速度與靈活性的情況下,充分發揮了瞬態測試方法的優勢。無論是測量粉末樣品、液體還是高熱傳導率材料,Trident平台都能提供卓越的測量性能與使用便捷性。
資料來源:https://ctherm.com/resources/tech-library/thermal-conductivity-of-thermal-interface-materials/